Semiconductor ဖိအားအာရုံခံကိရိယာများကို အမျိုးအစားနှစ်မျိုး ခွဲခြားနိုင်ပြီး၊ တစ်ခုသည် ဖိစီးမှုအောက်တွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ PN လမ်းဆုံ (သို့မဟုတ် schottky လမ်းဆုံ) ၏ I-υ လက္ခဏာများ ပြောင်းလဲခြင်းဟူသော နိယာမအပေါ် အခြေခံသည်။ဤဖိအားအကဲဆတ်သည့်ဒြပ်စင်၏စွမ်းဆောင်ရည်သည် အလွန်မတည်မငြိမ်ဖြစ်ပြီး အလွန်မဖွံ့ဖြိုးသေးပါ။နောက်တစ်ချက်မှာ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာဖိအားအာရုံခံကိရိယာ၏ အဓိကအမျိုးအစားဖြစ်သည့် semiconductor piezoresistive effect ကိုအခြေခံသည့် အာရုံခံကိရိယာဖြစ်သည်။အစောပိုင်းကာလများတွင်၊ semiconductor strain gauges များသည် အမျိုးမျိုးသော stress နှင့် strain တိုင်းကိရိယာများပြုလုပ်ရန် elastic element များနှင့် အများစုကို ချိတ်ဆက်ထားကြသည်။1960 ခုနှစ်များတွင်၊ semiconductor integrated circuit technology ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ piezoresistive element အဖြစ် diffusion resistor ပါသော semiconductor pressure sensor တစ်ခု ပေါ်လာခဲ့သည်။ဤဖိအားအာရုံခံကိရိယာမျိုးသည် ရိုးရှင်းပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသောဖွဲ့စည်းပုံပါရှိပြီး ဆက်စပ်ရွေ့လျားနေသည့်အစိတ်အပိုင်းများမရှိသည့်အပြင် အာရုံခံကိရိယာ၏ဖိအားအထိခိုက်မခံသောဒြပ်စင်နှင့် ပျော့ပျောင်းသောဒြပ်စင်တို့ကို ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှေးကွေးခြင်းနှင့် တွားသွားခြင်းတို့ကို ရှောင်ရှားနိုင်ပြီး အာရုံခံကိရိယာ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း Semiconductor ၏ Piezoresistive Effect သည် ပြင်ပတွန်းအားနှင့် သက်ဆိုင်သည့် လက္ခဏာတစ်ခု ဖြစ်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ခုခံနိုင်မှု (Piezoresistive effect) ဟုခေါ်သော ၎င်းတွင် သက်ရောက်သည့် ဖိအားနှင့်အတူ ပြောင်းလဲမှုများ၊ယူနစ်ဖိစီးမှုအောက်ရှိ ခုခံနိုင်စွမ်းအားပြောင်းလဲမှုကို π သင်္ကေတဖြင့် ဖော်ပြသည့် piezoresistive coefficient ဟုခေါ်သည်။သင်္ချာအရ ρ/ρ = π σ အဖြစ် ဖော်ပြသည်။

σ သည် စိတ်ဖိစီးမှုကို ကိုယ်စားပြုသည်။ဖိစီးမှုအောက်တွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာခံနိုင်ရည်ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုး (R/R) ပြောင်းလဲမှုအား ခံနိုင်ရည်ပြောင်းလဲမှုကြောင့် အဓိကအားဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်၊ ထို့ကြောင့် piezoresistive effect ၏အသုံးအနှုန်းကို R/R=πσ အဖြစ်လည်း ရေးသားနိုင်သည်။

ပြင်ပတွန်းအား၏ လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင်၊ အချို့သော stress (σ) နှင့် strain (ε) ကို semiconductor crystals တွင် ထုတ်ပေးပြီး ၎င်းတို့ကြားရှိ ဆက်စပ်မှုကို Young ၏ modulus (Y) ဖြစ်သည့် Y=σ/ε မှ ဆုံးဖြတ်သည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာပေါ်ရှိ ကြိုးဖြင့် piezoresistive effect ကိုဖော်ပြပါက R/R=Gε ဖြစ်သည်။

G ကို ဖိအားအာရုံခံကိရိယာ၏ အာရုံခံမှုဆိုင်ရာအချက်ဟု ခေါ်သည်၊ ၎င်းသည် ယူနစ်စိုင်ရာအောက်ရှိ ခုခံမှုတန်ဖိုး၏ ဆွေမျိုးပြောင်းလဲမှုတန်ဖိုးကို ကိုယ်စားပြုသည်။

Piezoresistive coefficient သို့မဟုတ် sensitivity factor သည် semiconductor piezoresistive effect ၏ အခြေခံပိုင်းဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်ဖြစ်သည်။၎င်းတို့ကြားရှိ ဆက်ဆံရေးကို ဖိအားနှင့် strain အကြား ဆက်ဆံရေးကဲ့သို့ပင်၊ ပစ္စည်း၏ အစိတ်အပိုင်းဖြစ်သော လူငယ်၏ အစိတ်အပိုင်းဖြစ်သော g = π y ဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပုံဆောင်ခဲများ၏ anisotropy ၏ elasticity ရှိသောကြောင့်၊ Young ၏ modulus နှင့် piezoresistive coefficient သည် crystal orientation ဖြင့် ပြောင်းလဲသွားသည်။semiconductor piezoresistive effect ၏ ပြင်းအားသည် semiconductor ၏ ခံနိုင်ရည်နှင့် နီးကပ်စွာ ဆက်စပ်နေသည်။ခံနိုင်ရည်နိမ့်လေ၊ sensitivity factor သေးငယ်လေဖြစ်သည်။ပျံ့နှံ့မှုခုခံမှု၏ piezoresistive အကျိုးသက်ရောက်မှုသည် ပျံ့နှံ့မှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိသော crystal orientation နှင့် impurity concentration မှဆုံးဖြတ်သည်။ညစ်ညမ်းမှုအာရုံစူးစိုက်မှုသည် အဓိကအားဖြင့် ပျံ့နှံ့မှုအလွှာ၏ မျက်နှာပြင်ညစ်ညမ်းမှုကို ရည်ညွှန်းသည်။