Flying Bull (Ningbo) Electronic Technology Co., Ltd.

Truck အတွက် Scania Electrical System အားသွင်းဖိအားအာရုံခံကိရိယာ 1403060

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-


  • OE-၁၄၀၃၀၆၀ ၁၅၂၇၁၀၈ ၁၇၈၄၆၃၈ ၁၈၆၂၈၀၀ ၂၁၃၁၈၂၀ ၅၂၇၁၀၈
  • မူလနေရာ : :Zhejiang၊ တရုတ်နိုင်ငံ
  • ကုန်အမှတ်တံဆိပ်အမည်- :FYLING BULL
  • အမျိုးအစား : :အာရုံခံကိရိယာ
  • ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

    ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

    အသေးစိတ်

    စျေးကွက်ရှာဖွေရေး အမျိုးအစား-Hot Product 2019

    မူလနေရာ-Zhejiang၊ တရုတ်နိုင်ငံ

    ကုန်အမှတ်တံဆိပ်အမည်-နွားပျံ

    အာမခံချက်-1 နှစ်

     

     

     

    အမျိုးအစား-ဖိအားအာရုံခံကိရိယာ

    အရည်အသွေး-အရည်အသွေးမြင့်မားသော

    ရောင်းချပြီးနောက်ဝန်ဆောင်မှုပေးသည်-အွန်လိုင်းပံ့ပိုးမှု

    ထုပ်ပိုးမှု-Neutral Packing

    ပို့ဆောင်ချိန်:5-15 ရက်

    ထုတ်ကုန်မိတ်ဆက်

    အသုံးများသော semiconductor ဖိအားအာရုံခံကိရိယာသည် N-type silicon wafer ကိုအလွှာအဖြစ်အသုံးပြုသည်။ ပထမဦးစွာ၊ ဆီလီကွန် wafer ကို အချို့သော ဂျီသြမေတြီဖြင့် elastic stress-bearing အပိုင်းအဖြစ် ပြုလုပ်ထားသည်။ silicon wafer ၏ stress-bearing အစိတ်အပိုင်းတွင် P-type diffusion resistors လေးခုကို crystal directions တစ်လျှောက် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ ထို့နောက် လေးလက်တံ Wheatstone တံတားကို အဆိုပါ resistors လေးခုဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ပြင်ပအင်အား၏ လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် ခုခံမှုတန်ဖိုးများ အပြောင်းအလဲများသည် လျှပ်စစ်အချက်ပြမှုများ ဖြစ်လာသည်။ ဖိအားသက်ရောက်မှုရှိသော ဤဂျုံကျောက်တံတားသည် အများအားဖြင့် piezoresistive bridge ဟုခေါ်သည် (ပုံ 1 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း) ဖိအားအာရုံခံကိရိယာ၏နှလုံးဖြစ်သည်။ piezoresistive တံတား၏ဝိသေသလက္ခဏာများမှာအောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်- ① တံတား၏လက်လေးခု၏ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးများသည် တူညီသည် (အားလုံး r0); ② တံတား၏ကပ်လျက်လက်ရုံးများ၏ piezoresistive effect သည် တန်ဖိုးနှင့် သင်္ကေတတွင် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သည်။ ③ တံတား၏ လက်လေးချောင်း၏ ခံနိုင်ရည်အပူချိန် ကိန်းဂဏန်းသည် တူညီပြီး ၎င်းတို့သည် အမြဲတမ်း တူညီသော အပူချိန်တွင် ရှိနေသည်။ သင်္ဘောသဖန်း။ 1, R0 သည် အခန်းအပူချိန်တွင် ဖိစီးမှုမရှိဘဲ ခုခံမှုတန်ဖိုးဖြစ်သည်။ RT သည် အပူချိန်ပြောင်းလဲသောအခါတွင် ခုခံနိုင်မှု ကိန်းဂဏန်း (α) ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ပြောင်းလဲမှု၊ Υ Rδ သည် strain (ε); တံတား၏ အထွက်ဗို့အားမှာ u=I0 Δ Rδ=I0RGδ (အဆက်မပြတ် လက်ရှိရင်းမြစ်တံတား) ဖြစ်သည်။

     

    I0 သည် constant current source current ဖြစ်ပြီး e သည် constant voltage source voltage ဖြစ်သည်။ piezoresistive bridge ၏ output voltage သည် strain (ε) နှင့် တိုက်ရိုက်အချိုးကျပြီး sensor ၏ temperature drift ကို အလွန်လျှော့ချပေးသည့် temperature coefficient ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော RT နှင့် ဘာမှမဆိုင်ပါ။ အသုံးအများဆုံး semiconductor ဖိအားအာရုံခံကိရိယာသည် အရည်ဖိအားကို သိရှိနိုင်သော အာရုံခံကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အဓိကဖွဲ့စည်းပုံမှာ monocrystalline silicon ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော capsule (ပုံ 2 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း) ။ ဒိုင်ယာဖရမ်ကို ခွက်တစ်ခုအဖြစ် ပြုလုပ်ထားပြီး ခွက်အောက်ခြေသည် ပြင်ပအားကို သယ်ဆောင်သည့် အစိတ်အပိုင်းဖြစ်ပြီး ခွက်အောက်ခြေတွင် ဖိအားတံတားကို ပြုလုပ်ထားသည်။ လက်စွပ်ခြေနင်းကို တူညီသော ဆီလီကွန်တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲပစ္စည်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ ထို့နောက် ဒိုင်ယာဖရမ်ကို အောက်ခံခုံနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဤဖိအားအာရုံခံကိရိယာမျိုးသည် မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်း၊ သေးငယ်သောထုထည်နှင့် ခိုင်မာမှု၏ အားသာချက်များရှိပြီး လေကြောင်း၊ အာကာသလမ်းကြောင်းပြမှု၊ အလိုအလျောက်စနစ်တူရိယာများနှင့် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာကိရိယာများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုခဲ့သည်။

    ထုတ်ကုန်ပုံ

    1688799225926

    ကုမ္ပဏီအသေးစိတ်

    ၀၁
    1683335092787
    ၀၃
    1683336010623
    ၁၆၈၃၃၃၆၂၆၇၇၆၂
    ၀၆
    ၀၇

    ကုမ္ပဏီအားသာချက်

    ၁၆၈၅၁၇၈၁၆၅၆၃၁

    လမ်းပန်းဆက်သွယ်ရေး

    ၀၈

    အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

    ၁၆၈၄၃၂၄၂၉၆၁၅၂

    ဆက်စပ်ထုတ်ကုန်များ


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • ဆက်စပ်ထုတ်ကုန်များ